| 氢化非晶硅薄膜喇曼及椭偏表征 |
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| 作者姓名： | 廖乃镘 李伟 蒋亚东 吴志明 匡跃军 祁康成 李世彬 |
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| 作者单位： | ① 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;② 电子科技大学光电信息学院, 成都 610054 |
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| 基金项目： | 国家杰出青年基金(批准号: 60425101)和总装备部预研基金(批准号: 06DZ02)资助项目 |
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| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜，利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试，通过改变辉光放电前SiH4气体温度，研究了气体温度对薄膜非晶网络结构和光电性能的影响．结果表明，随着辉光放电前SiH4气体温度从室温提高到433K，a-Si：H薄膜的短程有序和中程有序程度提高，折射率和吸收系数增强，同时，暗电导提高2个数量级．a—Si：H薄膜非晶网络结构的变化是其暗电导提高的主要原因．
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 等离子体增强化学气相沉积 喇曼散射 椭偏测量法 |
| 收稿时间： | 2007-12-29 |
| 修稿时间： | 2008-03-04 |
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