YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散 |
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引用本文: | 袁松柳.YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散[J].物理学报,1995,44(8):1268-1273. |
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作者姓名: | 袁松柳 |
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作者单位: | 中国科学院等离子体物理研究所,合肥230031 |
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摘 要: | 基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较.
关键词:
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关 键 词: | YBCO 超导体 铜氧化物 电阻耗散 |
收稿时间: | 5/5/1994 12:00:00 AM |
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