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A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响
引用本文:冯小东,蹇胜勇,刘相果. A位取代对PZN-PNN-PZT压电陶瓷性能的影响[J]. 压电与声光, 2014, 36(1): 100-102
作者姓名:冯小东  蹇胜勇  刘相果
作者单位:中国电子科技集团公司第26研究所,重庆 400060
摘    要:以固态氧化物为原料,采用固态合成工艺制备Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷,并研究了锆钛比(r(Zr)/r(Ti))、Ba2+的A位取代及Ba2+、La3+的A位复合取代对压电陶瓷电性能的影响。结果表明,PZN-PNN-PZT压电陶瓷在r(Zr)/r(Ti)=1.03下,进行Ba2+,La3+的A位复合取代后,即式子在Pb0.92Ba0.04La0.04(Ni1/3Nb2/3)y(Zn1/3Nb2/3)z Zrm Tin O3时压电性能最佳,其介电常数εT33/ε0=5 657,压电常数d33=709pC/N,机电耦合系数kp=0.69,品质因数Qm=45,居里温度TC=180.9℃。

关 键 词:Pb(Zn1/3 Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3 Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3(PZN-PNN-PZT)压电陶瓷  高介电常数  高压电常数

Influence of ASite Com-replacing on Properties of PZN-PNN-PZT Piezoelectric Ceramic
FENG Xiaodong,JIAN Shengyong and LIU Xiangguo. Influence of ASite Com-replacing on Properties of PZN-PNN-PZT Piezoelectric Ceramic[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2014, 36(1): 100-102
Authors:FENG Xiaodong  JIAN Shengyong  LIU Xiangguo
Affiliation:26th Institute of china Electronics Technology Group Corporation,Chongqing 400060,China
Abstract:
Keywords:PZN PNN PZT piezoelectric ceramic  high dielectric conttant  high piezoelectric contant
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