| 射频磁控溅射Al掺杂ZnO薄膜的退火性质分析 |
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| 引用本文： | 汪冬梅,吕珺,徐光青,吴玉程,郑治祥.射频磁控溅射Al掺杂ZnO薄膜的退火性质分析[J].金属功能材料,2008,15(1):19-23. |
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| 作者姓名： | 汪冬梅 吕珺 徐光青 吴玉程 郑治祥 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009 |
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| 基金项目： | 合肥工业大学中青年科技创新群体专项 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,并对所制备的薄膜在纯氩气氛中进行了400℃、1h和2h的退火处理,将前者再于空气中相同温度下退火1h.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究.研究表明,退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响.原位沉积的薄膜电阻率为2.59Ω·cm,可见光区透过率约70%.400℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力有所减小;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到将近80%;薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ω·cm降低到1.37Ω·cm.400℃纯Ar气氛中退火2h后,薄膜的可见光区透过率和电阻率分别为75%和14.7Ω·cm.400℃纯氩气氛中退火1h再经过空气中退火1h后,薄膜的可见光区透过率和电阻率分别为80%左右和0.69Ω·cm.
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| 关 键 词： | ZAO薄膜 退火处理 结晶性能 透光率 电阻率 |
| 文章编号： | 1005-8192(2008)01-0019-05 |
| 修稿时间： | 2007年4月4日 |
Influence of Annealing on Properties of ZAO Films Prepared by Radio Frequency (RF) Magnetron Sputtering |
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| WANG Dong-mei,LV Jun,XU Guang-qing,WU Yu-cheng,ZHENG Zhi-xiang.Influence of Annealing on Properties of ZAO Films Prepared by Radio Frequency (RF) Magnetron Sputtering[J].Metallic Functional Materials,2008,15(1):19-23. |
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| Authors: | WANG Dong-mei LV Jun XU Guang-qing WU Yu-cheng ZHENG Zhi-xiang |
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