|
|||||
|
|
| nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究 | |
| 作者姓名： | 张炯 吴正立 李瑞伟 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场有直接的关系；与热空穴的注入效率没有明显的联系． |
| 关 键 词： | MOS 集成电路 热载流子效应 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
