| 温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响 |
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| 引用本文： | 夏中高,王茺,鲁植全,李亮,杨宇. 温度对SiO2表面上磁控溅射制备Ge纳米点的生长模式和尺寸的影响[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(4): 961-965 |
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| 作者姓名： | 夏中高 王茺 鲁植全 李亮 杨宇 |
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| 作者单位： | 云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，云南省自然基金重点项目，教育部科学技术研究重点项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品.原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同.当衬底生长温度达到500 ℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口".在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010 cm-2的Ge纳米点.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 Ge纳米点 SiO2薄膜, |
Effect of Growth Temperature on Growth Mode and Size of Ge Nanodots Prepared on SiO2 Surface by Magnetron Sputtering |
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| XIA Zhong-gao,WANG Chong,LU Zhi-quan,LI Liang,YANG Yu. Effect of Growth Temperature on Growth Mode and Size of Ge Nanodots Prepared on SiO2 Surface by Magnetron Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(4): 961-965 |
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| Authors: | XIA Zhong-gao WANG Chong LU Zhi-quan LI Liang YANG Yu |
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