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| 外刊题录 | |
| 摘 要： | 1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6, |
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