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| 拉制硅单晶的两项新技术 | |
| 作者姓名： | 曾志龙 |
| 摘 要： | 日本三菱材料及大阪钛制造两公司分别开发出两项拉制硅单晶的新技术.三菱材料公司开发的连续 MOZ 法,是将边加磁场边拉制的磁控管 CZ(MCZ)法与传统的切克劳斯基单晶拉制法(直拉法)组合,可将影响半导体特性的氧浓度降低,能在较宽范围内控制氧的浓度,而且,在拉制中添加的杂质(掺杂剂)浓度也可保持均匀. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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