| 多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析 |
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| 引用本文： | 王宇龙,王明. 多次可编程非易失性存储器的数据保持能力测试及其激活能分析[J]. 半导体技术, 2022, 0(1) |
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| 作者姓名： | 王宇龙 王明 |
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| 作者单位： | 成都锐成芯微科技股份有限公司 |
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| 基金项目： | 四川省科技计划项目(2019YJ0626)。 |
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| 摘 要： | 基于180 nm BCD工艺平台设计开发了32 Kibit的多次可编程(MTP)非易失性存储器(NVM)。详细描述了存储单元的结构设计特点、操作机理及影响非易失性的关键因素。测试并量化了其在高温条件下的数据保持能力,并根据Arrhenius模型设计了高温老化试验,进而计算其浮栅上电荷泄漏的激活能。经过104次重复编程和擦除循环后,MTP NVM样品的高温数据保持(HTDR)能力验证结果表明该MTP NVM产品具有很好的可靠性。通过高温老化加速试验,计算出分别在100、125和150℃条件下样品的数据保持时间,并对1/T与数据保持时间曲线进行数学拟合,计算出在该180 nm BCD工艺平台下浮栅上电荷泄漏的激活能。
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| 关 键 词： | 嵌入式非易失性存储器(eNVM) 多次可编程(MTP)存储器 数据保持能力 Arrhenius模型 加速老化试验 激活能 |
Data Retention Capability Test of Multi-Time Programmable Non-Volatile Memory and Its Activation Energy Analysis |
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| Wang Yulong,Wang Ming. Data Retention Capability Test of Multi-Time Programmable Non-Volatile Memory and Its Activation Energy Analysis[J]. Semiconductor Technology, 2022, 0(1) |
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| Authors: | Wang Yulong Wang Ming |
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| Affiliation: | (Chengdu Analog Circuit Technology Inc.,Chengdu 610041,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | embedded non-volatile memory(eNVM) multi-time programmable(MTP)memory data retention capability Arrhenius model accelerated aging test activation energy |
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