| 石墨烯的SiC外延生长及应用(续) |
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| 引用本文： | 陆东梅,杨瑞霞,孙信华,吴华,郝建民.石墨烯的SiC外延生长及应用(续)[J].半导体技术,2012,37(10):745-749,775. |
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| 作者姓名： | 陆东梅 杨瑞霞 孙信华 吴华 郝建民 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息工程学院,天津300401;河北工业大学理学院,天津300401;河北工业大学信息工程学院,天津,300401;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 正3.3 X射线光电子能谱XPS能谱分析的基本原理:一定能量的X光照射到样品表面和待测物质发生作用,可以使待测物质原子中的电子脱离原子成为自由电子。通过接收并测量这些光电子的能量,得到原子或分子内部各轨道的结合能,从而就可以了解样品中元素的组成。图8所示为样品的XPS能谱图,图中各峰值
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| 关 键 词： | 石墨 外延生长法 场效应晶体管 光电子能谱 结合能 能谱分析 截止频率 电子脱离 基本原理 自由电子 |
Epitaxial Growth of Graphene on SiC Substrate and Their Application (Continued) |
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| Lu Dongmei,a,b,Yang Ruixia,a,Sun Xinhua,a,Wu Hua,Hao Jianmin.Epitaxial Growth of Graphene on SiC Substrate and Their Application (Continued)[J].Semiconductor Technology,2012,37(10):745-749,775. |
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| Authors: | Lu Dongmei a b Yang Ruixia a Sun Xinhua a Wu Hua Hao Jianmin |
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| Affiliation: | 1.a.School of Information and Engineering,b.School of Science,Hebei University of Technology,Tianjin 300401,China;2.The 46 th Research Institute,CETC,Tianjin 300220,China) |
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| Abstract: | |
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