吸除硅片上杂质金的有效措施 |
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引用本文: | 胡才雄.吸除硅片上杂质金的有效措施[J].上海有色金属,1982(1). |
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作者姓名: | 胡才雄 |
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摘 要: | 众所周知,硅片上的杂质金以及其它重金属元素对器件的性能有严重的危害,为此各国科学家都设法在制备器件前或制备过程中,将硅片上的重金属杂质吸除掉。大量实践已证明,这种吸除对提高器件的成品率与优品率都十分有利,因此这种吸除研究已成为目前半导体中相当活跃的一个领域了。最近加利福尼亚大学的电气和计算机系发表了用离子注入损伤的方法来吸除掉硅片中杂质金的试验,效果比较明显。他们的研究分为如下二个方面:
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