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3—D寄生电阻电容线性元计算的并行实现
作者姓名:
周文明 王泽毅
摘 要:
VLSI电路中,深亚微米工艺及多层布线技术的广泛应用使互连寄生效应成为制约电路性能的主要因素,直接边界元素法3-D寄生电阻电容提取的计算量很大,采用并行计算是快速提取的重要途径之一。
关 键 词:
3-D寄生电阻 电容提取 并行计算 VLSI
修稿时间:
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