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Be/CuCrZr热等静压扩散连接界面特性
引用本文:王锡胜,张鹏程,鲜晓斌,谌继明,申亮,王庆富,黄火根. Be/CuCrZr热等静压扩散连接界面特性[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(12)
作者姓名:王锡胜  张鹏程  鲜晓斌  谌继明  申亮  王庆富  黄火根
作者单位:1. 中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900
2. 中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900;表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907
3. 核工业西南物理研究院,四川,成都,610041
4. 表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907
基金项目:中国工程物理研究院科学技术发展基金 
摘    要:采用热等静压(HIP)技术对Be与CuCrZr合金进行扩散连接,比较了不同HIP工艺下制备的Be/CuCrZr接头性能,观察了接头区域的微观组织。结果表明:在580℃,140MPa下Be与CuCrZr直接扩散连接以及采用Ti(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)作过渡层的间接扩散连接均达到了较好的连接效果。材料组合及连接工艺参数等对Be与CuCrZr合金的扩散连接存在着明显的影响。表面采用Ti镀层的间接扩散连接在580℃时可有效阻止Be与Cu形成脆性相。经过580℃,2hHIP处理后,CuCrZr硬度可恢复至初始状态的77%。

关 键 词:  CuCrZr  热等静压扩散连接

Interface Characterization of Be/CuCrZr Joints by Hot Isostatic Pressing Bonding
Wang Xisheng,Zhang Pengcheng,Xian Xiaobin,Chen Jiming,Shen Liang,Wang Qingfu,Huang Huogen. Interface Characterization of Be/CuCrZr Joints by Hot Isostatic Pressing Bonding[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(12)
Authors:Wang Xisheng  Zhang Pengcheng  Xian Xiaobin  Chen Jiming  Shen Liang  Wang Qingfu  Huang Huogen
Affiliation:Wang Xisheng1,Zhang Pengcheng1,2,Xian Xiaobin1,Chen Jiming3,Shen Liang1,Wang Qingfu1,Huang Huogen2 (1. China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621900,China) (2. National Key Laboratory for Surface Physics , Chemistry,Mianyang 621907,China) (3. Southwestern Institute of Physics,Chengdu 610041,China)
Abstract:
Keywords:CuCrZr
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