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| 低截流值真空触头材料的研究 | |
| 引用本文： | 傅肃嘉,方敏,吴仲春,苗国霞.低截流值真空触头材料的研究[J].电工材料,1997(2). |
| 作者姓名： | 傅肃嘉 方敏 吴仲春 苗国霞 |
| 作者单位： | 浙江省冶金研究院!310007 |
| 摘 要： | 一、引言CuCr触头具有优良的开断能力、较好的耐压水平、良好的抗侵蚀和抗熔爆性能，已被广泛地应用于真空断路器中。然而，与Ag－WC、CuWC以及近年来国外开发的CoAgSe相比，其截流值相对较高。随着真空开关向高耐压、大容量、小型化和低过电压的不断发展，以及CuCr触头在真空接触器、真空负荷开关上应用的逐步推广，要求进一步降低CuCr触头的截流值。国外近些年来在降低CuCr触头材料的截流值方面进行了大量的研究，其主要的途径有三条：（1）在CuCr中添加金属碳化物。如日本明电舍公司研究了CuCrMo（CrC2）等，其主要电开断性能… |
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