| 基体负偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 蔡建,杨巍,代伟,柯培玲,汪爱英. 基体负偏压对四面体非晶碳膜结构和性能的影响[J]. 中国表面工程, 2011, 24(6): 62-67. DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2011.06.011 |
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| 作者姓名： | 蔡建 杨巍 代伟 柯培玲 汪爱英 |
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| 作者单位： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所表面工程与再制造事业部,浙江宁波,315201 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金（Y4100312） |
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| 摘 要： | 采用自主研制的45°单弯曲磁过滤阴极电弧沉积系统于Si基体表面制备了四面体非晶碳(ta-C)膜,研究了基体负偏压对薄膜沉积速率、成分、力学性能及摩擦学性能的影响规律。结果表明,随基体负偏压升高,ta-C膜sp3键含量呈先增后减的变化趋势,在-50V时达到最大值(约64%);其硬度和弹性模量呈相似的变化规律,在-50V偏压下获得最大值(48.22GPa和388.52GPa)。ta-C薄膜的摩擦学性能与其sp3碳杂化键的含量密切相关,在-50V偏压下制备的薄膜具有最小平均摩擦因数值(0.10)。可见,采用单弯曲磁过滤阴极弧电弧制备ta-C薄膜的力学和摩擦学特性主要受薄膜中sp3键含量的制约。
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| 关 键 词： | 单弯曲阴极真空电弧 偏压 四面体非晶碳膜 sp3 |
Effect of Substrate Bias on Structure and Properties of Ta-C Films |
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| CAI Jian,YANG Wei,DAI Wei,KE Pei-ling,WANG Ai-ying. Effect of Substrate Bias on Structure and Properties of Ta-C Films[J]. China Surface Engineering, 2011, 24(6): 62-67. DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2011.06.011 |
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| Authors: | CAI Jian YANG Wei DAI Wei KE Pei-ling WANG Ai-ying |
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| Affiliation: | Division of Surface Engineering and Remanufacturing, Ningbo Institute of Material Technology & Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201 |
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