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| GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡 | |
| 引用本文： | 陆泳,陆飞,李爱珍.GaAs MBE生长过程中的RHEED强度振荡[J].微纳电子技术,1991(6). |
| 作者姓名： | 陆泳 陆飞 李爱珍 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金所 上海 200050 |
| 摘 要： | 本文报道了用RHEED强度振荡方法来测定GaAs,Al_xGa_(1-x)As生长速度及Al组分,并初步讨论了产生RHEED强度振荡的机制及其与生长条件的关系。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 分子束外延 测量 振荡 |
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