| 绝缘衬底对CVD生长石墨烯的影响研究进展 |
| |
| 引用本文： | 陈彩云,戴 丹,陈国新,巩金瑞,江 南,詹肇麟. 绝缘衬底对CVD生长石墨烯的影响研究进展[J]. 材料导报, 2015, 29(3): 66-78. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.022 |
| |
| 作者姓名： | 陈彩云 戴 丹 陈国新 巩金瑞 江 南 詹肇麟 |
| |
| 作者单位： | 1. 昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;中国科学院宁波工业技术研究院,宁波315201;2. 中国科学院宁波工业技术研究院,宁波,315201;3. 昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650093 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51165016) |
| |
| 摘 要： | 石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注.石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角.然而要实现石墨烯电子器件的构建,必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题.综述了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法制备石墨烯所产生的影响,分析比较了不同绝缘衬底的优缺点,并展望了石墨烯的发展及应用前景.
|
| 关 键 词： | 石墨烯 电学性能 制备 绝缘衬底 |
Research Status on Influences of Insulating Substrates on Chemical Vapor Deposition of Graphene |
| |
| CHEN Caiyun,DAI Dan,CHEN Guoxin,GONG Jinrui,JIANG Nan and ZHAN Zhaolin. Research Status on Influences of Insulating Substrates on Chemical Vapor Deposition of Graphene[J]. Materials Review, 2015, 29(3): 66-78. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.022 |
| |
| Authors: | CHEN Caiyun DAI Dan CHEN Guoxin GONG Jinrui JIANG Nan ZHAN Zhaolin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | graphene electrical properties preparation insulating substrate |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《材料导报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料导报》下载全文 |
|
