| 用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射 |
| |
| 引用本文： | 余明斌,杨安,余宁梅,马剑平.用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射[J].半导体学报,2002,23(3). |
| |
| 作者姓名： | 余明斌 杨安 余宁梅 马剑平 |
| |
| 作者单位： | 西安理工大学应用电子工程系,西安,710048 |
| |
| 摘 要： | 用电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)方法制备了纳米碳化硅薄膜.实验中发现:在高氢稀释反应气体和高微波功率条件下,可以得到结构上具有纳米碳化硅晶粒镶嵌在碳化硅无序网络中的薄膜.用高分辩透射电子显微镜、傅里叶红外吸收谱、Raman散射和X射线光电子谱等分析手段对薄膜的结构进行了分析.在室温条件下,薄膜能够发出强烈的短波长可见光,发光峰位于能量为2.64eV处.瞬态光谱研究表明样品的光致发光寿命为纳秒数量级,表现出直接跃迁复合的特征.这种材料有希望在大面积平面显示器件中得到应用.
|
| 关 键 词： | 纳米 碳化硅 薄膜 光致发光 |
Nanocrystalline Silicon Carbide Films Deposited by ECR Chemical Vapour Deposition and Its Photoluminescence |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
