| 新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的光学和磁学性能 |
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| 引用本文： | 安卫军,常永勤,郭喜平,介万奇.新型稀磁半导体Cd1-xMnxIn2Te4的光学和磁学性能[J].半导体学报,2002,23(10). |
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| 作者姓名： | 安卫军 常永勤 郭喜平 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，航空科研项目 |
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| 摘 要： | 采用垂直Bridgman法制备出了x＝0.1、0.22和0.4的Cd1-xMnxIn2Te4晶体.采用红外透射光谱法研究了晶体的红外光学特性.用超导量子磁强计测量了样品在温度范围5～300K和磁场强度范围0～5T内的磁化强度.在中红外波段透过率曲线变化很小.随着x的增加Cd1-xMnxIn2Te4的光学带隙移向高能端.磁化率倒数χ-1与温度T的关系曲线在高温区服从居里-万斯定律,在低温下x≥0.22时向下偏离该定律.与具有相同Mn2+浓度的Cd1-xMnxTe晶体相比Cd1-xMnxIn2Te4晶体的交换积分常数较小.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 Cd1-xMnxIn2Te4 红外透过率 磁化率 磁光效应 反铁磁交换作用 |
Optical and Magnetic Properties of Advanced Diluted Magnetic Semiconductor Cd1-xMnxIn2Te4 |
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