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| 含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响 | |
| 引用本文： | 王永晨,张晓丹,赵杰,殷景志,杨树人,张淑云.含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响[J].半导体学报,2002,23(3). |
| 作者姓名： | 王永晨 张晓丹 赵杰 殷景志 杨树人 张淑云 |
| 作者单位： | 1. 天津师范大学物理系,天津,300074 2. 吉林大学电子工程系,长春,130023 3. 天津第四半导体器件厂,天津,300111 |
| 摘 要： | 报道了采用不同的电介质薄膜SiO2、SiOxNy、Si3N4和SiOxPyNz及其组合用于InGaAsP/InP多量子阱材料的包封源.在高纯氮气保护下经850℃、7s的快速退火处理,结果发现:含磷组分SiOxPyNz电介质薄膜包封下的InGaAsP/InP量子阱带隙展宽十分显著,高达224meV,PL谱峰值波长蓝移342nm,半宽较窄仅为25nm,说明量子阱性能保持十分良好,并对此现象的成因做了初步分析. |
| 关 键 词： | 量子阱混合互扩 无杂质空位扩散 等离子体增强化学气相淀积 |
Evident Influence on Band Gap of InGaAsP/InP Multiple Quantum Well Structure by Capped Layer with Phosphorous Composition |
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