与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计 |
| |
引用本文: | 毛陆虹,陈弘达,吴荣汉,唐君,梁琨,粘华,郭维廉,李树荣,吴霞宛.与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计[J].半导体学报,2002,23(2). |
| |
作者姓名: | 毛陆虹 陈弘达 吴荣汉 唐君 梁琨 粘华 郭维廉 李树荣 吴霞宛 |
| |
作者单位: | 1. 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 2. 天津大学电子与信息工程学院,天津,300072 |
| |
摘 要: | 用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.
|
关 键 词: | 光电探测器 器件模拟 CMOS工艺 |
Simulation and Design of a CMOS-Process-Compatible High-Speed Si-Photodetector |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | |
本文献已被 万方数据 等数据库收录! |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|