电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 |
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引用本文: | 徐少辉,熊祖洪,顾岚岚,柳毅,丁训民,侯晓远.电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔[J].半导体学报,2002,23(3). |
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作者姓名: | 徐少辉 熊祖洪 顾岚岚 柳毅 丁训民 侯晓远 |
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作者单位: | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
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摘 要: | 用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响,并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中,不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀,也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀.可通过选取合适的周期、占空比,使二者对多孔硅的作用达到适中,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔.并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数,根据优化的实验参数,制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔.
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关 键 词: | 多孔硅 微腔 光致发光 |
Narrow-Line Light Emission from Porous Silicon Microcavities Prepared by Pulsed Electrochemical Etching Method |
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