| 缓冲层对氮化镓二维生长的影响 |
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| 引用本文： | 赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍.缓冲层对氮化镓二维生长的影响[J].功能材料与器件学报,2002,8(2):133-138. |
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| 作者姓名： | 赵智彪 齐鸣 朱福英 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050,中国科学院信息功能材料国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家863计划(No.715-011-0032)，上海市科技发展基金项目(No.97JC14019) |
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| 摘 要： | 报道了在射频等离子体（RF-Plasma)辅助的分子束外延（MBE）技术中，使用白宝石（0001）衬底，采用低温缓冲层工艺外延氮化镓（GaN)。通过原子力显微镜（AFM）的表面形貌比较及X射线双晶衍射（XRD）ω扫描摇摆曲线的分析，讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系，确立了缓冲层的三维成核，准二维生长的生长机理，并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长，进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。
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| 关 键 词： | 氮化镓 RF－Plasma分子束外延 原子力显微镜 X射线衍射分析 缓冲层 二维生长 |
| 文章编号： | 1007-4252(2002)02-0133-06 |
| 修稿时间： | 2001年8月16日 |
Influence of the buffer layer on GaN two- dimension growth by RF- plasma MBE |
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| ZHAO Zhi -biao,QI Ming,ZHU Fu -ying,LI Ai -zhen.Influence of the buffer layer on GaN two- dimension growth by RF- plasma MBE[J].Journal of Functional Materials and Devices,2002,8(2):133-138. |
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| Authors: | ZHAO Zhi -biao QI Ming ZHU Fu -ying LI Ai -zhen |
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| Abstract: | High quality gallium nitride(GaN)on sapphire(0001)was obtained by using RF -Plasma MBE.Low temperature buffer layer wa s very important for GaN two -dimension growth.The influence of buffer layer on forming quasi -two -dimension growth was investigated by using atom force micro -scope(AFM)and high -resolution X -ray diffraction(XRD)measurements.The mechanism of thre e -dimension nucleation and quasi -two -dimension of buffer layer growth wa s established.Then,the two -dimension growth of GaN epitaxial layer was carried out and the quali ty of GaN epitaxial layer was improved. |
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| Keywords: | GaN RF -plasma MBE AFM XRD buffe r layer |
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