| 氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响 |
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| 引用本文： | 李英爱,刘立华,何志,杨大鹏,马红梅,赵永年.氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响[J].液晶与显示,2006,21(4):379-383. |
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| 作者姓名： | 李英爱 刘立华 何志 杨大鹏 马红梅 赵永年 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012
2. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130012;吉林师范大学,物理学院,吉林,四平,136000 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm2。AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空。
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| 关 键 词： | 氮化铝薄膜 场发射特性 厚度 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)04-0379-05 |
| 修稿时间： | 2006年1月8日 |
Field Emission Characteristics of AlN Films with Different Thicknesses |
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| LI Ying-ai,LIU Li-hua,HE Zhi,YANG Da-peng,MA Hong-mei,ZHAO Yong-nian.Field Emission Characteristics of AlN Films with Different Thicknesses[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(4):379-383. |
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| Authors: | LI Ying-ai LIU Li-hua HE Zhi YANG Da-peng MA Hong-mei ZHAO Yong-nian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN thin films field emission characteristics thickness |
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