| a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光 |
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| 引用本文： | 王莉,赵艳娥,赵福利,陈弟虎,吴明姆.a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的室温时间分辨光致可见发光[J].发光学报,2004,25(6):696-700. |
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| 作者姓名： | 王莉 赵艳娥 赵福利 陈弟虎 吴明姆 |
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| 作者单位： | 中山大学,物理系,光电材料与技术国家重点实验室,广东,广州,510275;中山大学,化学与化工学院,广东,广州,510275 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(001911) |
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| 摘 要： | 在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中，通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积非晶SiCx：H(a-SiCx：H)和非晶Si：H(a-Si：H)薄膜，然后经过高温热退火处理，成功制备了晶化纳米a-SiCx：H／nc-Si：H(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜。利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx：H／nc-Si：H多层薄膜的结构特性。通过对晶化样品的时间分辨光致发光谱的研究，结果表明：随着退火温度的升高，发光峰位置开始出现一些红移现象：当退火温度为900℃时，样品的发光强度和发光衰减时间分别达到最大值和最小值；随着退火温度的继续升高，发光峰位置又开始出现蓝移现象。由此探讨纳米a-SiCx：H／nc-Si：H多层薄膜的发光特性和发光机理。
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| 关 键 词： | a-SiCx:H/Si:H多层薄膜 等离子体增强化学气相沉积 热退火 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)06-0696-05 |
| 修稿时间： | 2003年12月13 |
Time Resolution Photoluminescence of a-SiCx:H/nc-Si:H Multi-layers at Room Temperature |
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