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| 低温加热对碲镉汞表面组分的影响 | |
| 引用本文： | 司承才,严申生.低温加热对碲镉汞表面组分的影响[J].真空科学与技术学报,1986(2). |
| 作者姓名： | 司承才 严申生 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 (司承才)，上海测试技术研究所(严申生) |
| 摘 要： | 碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)是一种禁带宽度可调的三元系窄禁带半导体,选择适当Hg/Cd比的材料,可满意地制造出其响应波段从近红外延伸到远红外的各种Hg_(1-x)Cd_xTe红外探测器。由于汞具有容易挥发的特性,因而它给器件的制造带来了许多麻烦。近年来,人们对Hg_(1-x)Cd_xTe表面以及它与介质之间的界面发生了很大兴趣。人们已研 |
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