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超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术
摘 要:
由于超紫外线光刻技术(extreme ultraviolet,EUV)的发展迟缓,Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻(computational lithography)是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。
关 键 词:
Intel
光刻技术
超紫外线
反向
可制造性设计
光学扫描仪
曝光技术
EUV
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