| 短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造 |
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| 引用本文： | 张兴,李映雪,奚雪梅,王阳元,石涌泉.短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造[J].微电子学与计算机,1995,12(2):22-24. |
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| 作者姓名： | 张兴 李映雪 奚雪梅 王阳元 石涌泉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，西安微电子技术研究所 |
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| 摘 要： | 本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。
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| 关 键 词： | CMOS器件 SIMOX器件 集成电路 制造 |
The Development of Short Channel CMOS/ SIMOX Devices and Circuits |
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| Zhang Xing,Li Yingxue,Xi Xuemei,Wang Yangyuan.The Development of Short Channel CMOS/ SIMOX Devices and Circuits[J].Microelectronics & Computer,1995,12(2):22-24. |
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| Authors: | Zhang Xing Li Yingxue Xi Xuemei Wang Yangyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIMOX CMOS Thin film |
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