多晶硅压阻式压力传感器 |
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引用本文: | 毛干如,朱秀文,谢页飞,石争.多晶硅压阻式压力传感器[J].固体电子学研究与进展,1988(4). |
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作者姓名: | 毛干如 朱秀文 谢页飞 石争 |
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作者单位: | 天津大学电子工程系
(毛干如,朱秀文,谢页飞),天津大学电子工程系(石争) |
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摘 要: | 本文叙述一种新型的压力传感器——多晶硅压阻式压力传感器。这种传感器以单晶硅为衬底材料,多晶硅电阻条构成惠斯通桥路,二者之间用介质隔离。器件的背面通过对单晶硅的腐蚀制成应力腔。与单晶硅器件相比,这种器件最突出的优点是不用pn结隔离,因而可把工作温限由130℃提高到200℃。通过对多晶硅生长条件及掺杂的控制,可望得到温度系数近似为零的器件。初步实验证明,多晶硅压阻式压力传感器很有应用前景。
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