| 发射结动态电阻对RC文氏电桥的影响 |
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| 引用本文： | 侯昭武,景新幸. 发射结动态电阻对RC文氏电桥的影响[J]. 桂林电子科技大学学报, 2008, 28(3) |
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| 作者姓名： | 侯昭武 景新幸 |
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| 作者单位： | 钦州学院,物理与电子工程系,广西,钦州,535000;桂林电子科技大学,教务处,广西,桂林,541004 |
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| 摘 要： | 根据振荡电路的起振条件, 考虑到晶体管发射结动态电阻后推导出反馈系数F和电路总阻抗Z关系式,通过晶体管发射结动态电阻值对RC文氏电桥振荡器的振荡频率、振幅和相位的影响关系,从而得出RC文氏电桥振荡器的输出中最有利的晶体管发射结动态电阻值是无穷大的结论.
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| 关 键 词： | 交流动态电阻 振荡器 频率 振幅 相位 |
The effects of transistor dynamic resistance on the oscillation frequency of the RC Wien bridge oscillator |
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| HOU Zhao-wu,JING Xin-xing. The effects of transistor dynamic resistance on the oscillation frequency of the RC Wien bridge oscillator[J]. Journal of Guilin University of Electronic Technology, 2008, 28(3) |
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| Authors: | HOU Zhao-wu JING Xin-xing |
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