外加电场对硅纳米线生长影响的研究 |
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引用本文: | 于灵敏,范新会,刘建刚,刘春霞,严文.外加电场对硅纳米线生长影响的研究[J].材料导报,2004,18(Z1):112-114. |
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作者姓名: | 于灵敏 范新会 刘建刚 刘春霞 严文 |
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作者单位: | 西安工业学院材料与化工学院,西安,710032 |
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基金项目: | 教育部优秀青年教师资助计划,陕西省自然科学基金,陕西省教育厅资助项目,陕西省重点实验室基金 |
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摘 要: | 主要介绍用物理热蒸发法制备硅纳米线阵列,借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱分析仪(EDX)和透射电子显微镜(TEM)观察硅纳米线的形貌,分析其化学成分及晶体结构,研究非晶硅纳米线在外加电场下的生长过程,讨论外加电场对非晶硅纳米线定向排列生长的影响以及铜粉在其中起的作用.
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关 键 词: | 硅纳米线 定向排列 外加电场 带电团簇模型 |
Study of the Growth of Silicon Nanowire under Electric Field |
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Abstract: | |
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