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C波段3瓦T形电极硅双极晶体管
引用本文:张树丹,王因生,李相光,陈统华,谭卫东,郑承志,刘六亭,陈培棣.C波段3瓦T形电极硅双极晶体管[J].半导体学报,1995,16(1):52-55.
作者姓名:张树丹  王因生  李相光  陈统华  谭卫东  郑承志  刘六亭  陈培棣
作者单位:南京电子器件研究所
摘    要:本文报道了一种自对准T形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果.这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅0.4μm,发射极排列周期为4μm.测试结果表明,晶体管在4.2GHz下,连续波输出功率大于3W,增益8dB和集电极效率40%;作为振荡应用时。在4.3GHz的振荡频率下,振荡输出功率可达1W,DC-RF转换效率为20%.

关 键 词:双极晶体管  硅晶体管  电极晶体管  晶体管
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