| 水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究 |
| |
| 引用本文： | 崇乐,栗旭阳,蔡长龙,梁海锋,裴旭乐,弥谦,喻志农.水基溶液法IGZO-TFT的电学特性研究[J].半导体光电,2022,43(5):861-866. |
| |
| 作者姓名： | 崇乐 栗旭阳 蔡长龙 梁海锋 裴旭乐 弥谦 喻志农 |
| |
| 作者单位： | 西安工业大学 光电工程学院, 西安 710021;北京理工大学 光电学院, 北京 100081 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61874009,11975177)；兵器工业联合基金项目；陕西省重点研发计划项目(2020GY-045).通信作者:蔡长龙,喻志农E-mail:879867254@qq.com; znyn@bit.edu.cn. |
| |
| 摘 要： | 采用水基溶液法制备铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT),研究了在有无紫外光辅助退火条件下,不同后退火温度(270,300,330,360和400℃)对IGZO-TFT器件电学性能的影响。研究发现,IGZO-TFT在后退火温度为360℃时器件电学性能最佳,从而证明了水基溶液法在小于400℃的低温下可以制备IGZO-TFT。同时,研究表明,在后退火温度为360℃时,与无紫外光辅助退火IGZO-TFT相比,经紫外光辅助退火IGZO-TFT的饱和迁移率从1.19cm^(2)/Vs增加到1.62cm^(2)/Vs,正栅偏压偏移量从8.7 V降低至4.6 V,负栅偏压偏移量从-9.7 V降低至-4.4 V,从而证明了紫外光辅助退火对IGZO薄膜具有激活与钝化作用,可以优化IGZO-TFT器件的电学性能。
|
| 关 键 词： | IGZO-TFT 水基溶液法 紫外光辅助退火 偏压稳定性 |
| 收稿时间： | 2022/5/6 0:00:00 |
Study on Electrical Properties of IGZO-TFT by Aqueous Solution Method |
| |
| CHONG Le,LI Xuyang,CAI Changlong,LIANG Haifeng,PEI Xule,MI Qian,YU Zhinong.Study on Electrical Properties of IGZO-TFT by Aqueous Solution Method[J].Semiconductor Optoelectronics,2022,43(5):861-866. |
| |
| Authors: | CHONG Le LI Xuyang CAI Changlong LIANG Haifeng PEI Xule MI Qian YU Zhinong |
| |
| Affiliation: | School of Optoelectronic Engineering, Xi''an Technological University, Xi''an 710021, CHN; School of Optics and Photonics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | IGZO-TFT aqueous solution method UV-assisted annealing bias stability |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
