| AlSiCu反应离子刻蚀技术 |
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| 引用本文： | 马宏.AlSiCu反应离子刻蚀技术[J].微电子学,1994,24(3):34-40. |
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| 作者姓名： | 马宏 |
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| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 摘 要： | 在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 各向异性 AlSiCu |
Reactive Ion Etching of AlSiCu |
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| Ma Hong.Reactive Ion Etching of AlSiCu[J].Microelectronics,1994,24(3):34-40. |
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| Authors: | Ma Hong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Reactive ion etching Polymer Isotropy Post corrosion |
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