| 硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究 |
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| 引用本文： | 温才,赵北君,朱世富,王瑞林,何知宇,任锐,罗政纯,李艺星.硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究[J].功能材料,2005,36(10):1538-1541. |
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| 作者姓名： | 温才 赵北君 朱世富 王瑞林 何知宇 任锐 罗政纯 李艺星 |
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| 作者单位： | 四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064;四川大学,材料科学与工程学院材料科学系,四川,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2002AA325030） |
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| 摘 要： | 通过变温（20～300K）霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ（T）、载流子浓度n（T）、霍尔系数RH（T）和霍尔迁移率μH（T）的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能（24.7meV）与补偿度（23.7%）.上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
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| 关 键 词： | CdSe单晶体 核辐射探测器 霍尔效应 |
| 文章编号： | 1001-9731(2005)10-1538-04 |
| 收稿时间： | 2005-01-25 |
| 修稿时间： | 2005-04-20 |
Studies of the Hall effects at different temperatures on CdSe single crystals |
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| WEN Cai,ZHAO Bei-jun,ZHU Shi-fu,WANG Rui-lin,HE Zhi-yu,REN Rui,LUO Zheng-chun,LI Yi-xing.Studies of the Hall effects at different temperatures on CdSe single crystals[J].Journal of Functional Materials,2005,36(10):1538-1541. |
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| Authors: | WEN Cai ZHAO Bei-jun ZHU Shi-fu WANG Rui-lin HE Zhi-yu REN Rui LUO Zheng-chun LI Yi-xing |
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| Affiliation: | Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdSe single crystals nuclear radiation detectors Hall effect |
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