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| Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量 | |
| 引用本文： | 童华,江丕桓,周均铭,黄绮.Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量[J].低温物理学报,1989(3). |
| 作者姓名： | 童华 江丕桓 周均铭 黄绮 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体物理研究所，中国科学院半导体物理研究所，凝聚态和辐射物理分中心CCAST(World Lab.)，中国科学院物理研究所 北京，北京 |
| 摘 要： | 我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4～5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm. |
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