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铜掺杂氧化锌磁性和电子结构GGA和GGA+mBJ研究
引用本文:樊帅伟,刘泽华,李宗宝,李卫彬.铜掺杂氧化锌磁性和电子结构GGA和GGA+mBJ研究[J].河南理工大学学报(自然科学版),2013(1):114-117.
作者姓名:樊帅伟  刘泽华  李宗宝  李卫彬
作者单位:三峡大学物理系;铜仁学院物理与电子科学系;河南理工大学物理与化学学院
基金项目:国家自然科学基金资助项目(11174179);宜昌市科技项目(A2011-302-27);三峡大学基金项目(KJ2010B013)和黔科合J字[2012]2315
摘    要:采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波方法,分别采用GGA和GGA+mBJ为交换关联势,对铜掺杂在稳定的六角纤锌矿结构氧化锌的电子结构和磁性进行了计算.由GGA计算得到的电子结构表明铜掺杂氧化锌是半金属材料,而GGA+mBJ计算得到的电子结构表明铜掺杂氧化锌不具有半金属材料特征,而是典型的磁性半导体材料,与Buchholz等的实验结果一致,相对于GGA近似计算,GGA+mBJ计算的结果更能反映材料的性质.

关 键 词:全势线性缀加平面波方法  交换关联势  磁性  电子结构

Electronic structure and magnetism for Cu-doped ZnO:by GGA and GGA+mBJ density functional calculation
FAN Shuai-Wei,LIU Ze-Hua,LI Zong-Bao,LI Wei-Bin.Electronic structure and magnetism for Cu-doped ZnO:by GGA and GGA+mBJ density functional calculation[J].JOURNAL OF HENAN POLYTECHNIC UNIVERSITY,2013(1):114-117.
Authors:FAN Shuai-Wei  LIU Ze-Hua  LI Zong-Bao  LI Wei-Bin
Affiliation:1.Department of Physics,China Three Gorges University,Yichang 443002,Hubei,China;2.Department of Physics & Electronic Science,Tongren University,Guizhou 554300,China;3.School of Physics and Chemistry,Henan Polytechnic University,Jiaozuo 454000,Henan,China)
Abstract:
Keywords:
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