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| 制管试验中硅单晶质量的探讨 | |
| 引用本文： | 董尧德,蒋继红.制管试验中硅单晶质量的探讨[J].中国有色冶金,1983(2). |
| 作者姓名： | 董尧德 蒋继红 |
| 作者单位： | 浙江开化六○一厂 (董尧德)，浙江开化六○一厂(蒋继红) |
| 摘 要： | 一、概述我厂是国内第一个在浙江大学“A—F硅烷法”小试成功的基础上,用硅烷法工业生产多晶硅并同时拉制单晶硅的半导体材料厂。由于硅烷法制取的多晶硅纯度高,因而用这类多晶所拉制的单晶无论从单晶的内在质量方面还是从制造器件的成品率与优品率上都越来越显示出其独特优点。据有关器件厂反映,在一些对单晶材料有较高要求的高反压大功率晶体管、PIN微波二极管、辐射探测器等器件制管 |
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