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| 真空电子技术 | |
| 摘 要： | 0462 2003020094新型压制钡钨阴极性能的研究/张红卫,白振纲,俞世吉,丁耀根(中国科学院电子学研究所)11真空电子技术.一2002,(3)一67一69研究了新型压制钡钨阴极的发射性能,并且分别用KYKY一2800扫描电子显微镜(5 EM)和美国BIR公司ACTIS工业CT微焦点系统来分析所研制的新型压制钡钨阴极的表面形貌和内部结构,并对比了传统的钡钨阴极,来说明简化覆膜浸渍钡钨阴极生产工艺的可行性.图5参1(冈,J)到了一组具有原子分辨率的F EM像.该像可能是从单壁碳纳米管束中突出的一根(16,0)锯齿型单壁碳纳米管开口端的发射形成的.理论计算了FEM图… |
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