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| 基于Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的热光伏电池研究进展 | |
| 作者姓名： | 方思麟 于书文 刘维峰 刘爱民 |
| 作者单位： | 大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116023;大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116023;大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116023;大连理工大学,物理与光电工程学院,辽宁,大连,116023 |
| 摘 要： | 部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池.简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势. |
| 关 键 词： | 热光伏 Ⅲ-Ⅴ族半导体 窄带 |
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