| 电化学刻蚀制备宏孔硅研究 |
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| 引用本文： | 施建兴,胡芸,谢凯.电化学刻蚀制备宏孔硅研究[J].广东化工,2004,31(9):15-16. |
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| 作者姓名： | 施建兴 胡芸 谢凯 |
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| 作者单位： | 国防科学技术大学航天与材料工程学院,长沙,410073 |
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| 摘 要： | 半导体硅在含HF电解液阳极氧化体系中可以形成不同的腐蚀形态.当采用背面照明,且反应电流密度小于某个临界值时,可以在N型硅抛光片沿(100)晶向刻蚀产生宏孔结构,控制电化学条件能够调整宏孔的孔径、间距等形貌参数.本文采用相同电阻率N型抛光(100)硅片,考查了恒流条件下不同工作电流、照明强度对刻蚀反应以及刻蚀表面形貌的影响.
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| 关 键 词： | 单晶硅片 电化学刻蚀 宏孔 |
| 修稿时间： | 2004年9月1日 |
Study of Preparation of Macroporous Silicon by Electrochemical Etching |
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| Shi Jianxing,Hu Yun,XIE Kai.Study of Preparation of Macroporous Silicon by Electrochemical Etching[J].Guangdong Chemical Industry,2004,31(9):15-16. |
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| Authors: | Shi Jianxing Hu Yun XIE Kai |
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