| AlN基片的薄膜金属化 |
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| 引用本文： | 高能武,陆吟泉,秦跃利,吴云海. AlN基片的薄膜金属化[J]. 电子元件与材料, 1999, 18(5): 22-23 |
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| 作者姓名： | 高能武 陆吟泉 秦跃利 吴云海 |
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| 作者单位： | 西南电子设备研究所,四川,成都,610036 |
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| 摘 要： | 讨论了ＡｌＮ基片的薄膜金属化。通过试验，确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明，ＴｉＷ－Ａｕ 是ＡｌＮ的优良金属化体系。ＡｌＮ材料经激光划片后出现导电物质， 经稀盐酸处理可去掉导电物质
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| 关 键 词： | AlN基片 薄膜 金属化 |
| 文章编号： | ：1001-2028(1999)05-0022-02 |
Matallization of AlN Substrates |
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| GAO Neng-wu,LU Yin-quan,QIN Yue-li,WU Yun-hai. Matallization of AlN Substrates[J]. Electronic Components & Materials, 1999, 18(5): 22-23 |
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| Authors: | GAO Neng-wu LU Yin-quan QIN Yue-li WU Yun-hai |
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| Abstract: | ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China) ,Vol.18,No.5,P.22 23(Oct.1999).In Chinese. The matallization on AIN substrate is discussed.The effective clean method and optimized sputtering parameters are determined through experiment.The experiment results show that TiW Au is suitable for the matallization of AIN substrates;the conductive matters produced by laser cutting can be removed with thin HCI solution.(4 refs.) |
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| Keywords: | AIN thin film matallization |
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