高分子液晶态有序性对基结晶过程的影响

采用退偏振光强度法、SALS和POM测定了高分子液晶态有序微区结构随体系温度变化的规律，并用DSC法研究具有不同有序微区结构尺寸的液晶态的结晶过程。结果发现，高分子液晶态有序性或有序微区结构是随着体系退火温度和时间的变化而变化。同时从相应的不同有序性为起始态进行结晶时，其结晶速率明显不同，并讨论了高分子液晶态的结晶机理。