应变自组装InAs/GaAs量子点材料与器件光学性质研究 |
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作者姓名: | 钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 韩勤 王占国 |
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作者单位: | [1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京100083 |
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摘 要: | 采用MBE技术生长应变自组装InAs/GaAs量子点微结构材料,以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管,研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性,条宽为100μm、腔长为1.6mm,腔面未经镀膜的量子点激光二极管,室温下最大光功率输出为2.74W。
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关 键 词: | 应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 MBE生长 |
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