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| 基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触 | |
| 引用本文： | 马洪霞,韩彦军,申屠伟进,张贤鹏,罗毅,钱可元. 基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触[J]. 光电子．激光, 2006, 17(6): 650-653 |
| 作者姓名： | 马洪霞 韩彦军 申屠伟进 张贤鹏 罗毅 钱可元 |
| 作者单位： | 1. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学深圳研究生院,广东,深圳,518057 2. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 3. 清华大学深圳研究生院,广东,深圳,518057 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家重点基础研究发展计划(973计划);高比容电子铝箔的研究开发与应用项目;北京市科委科研项目 |
| 摘 要： | 提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。 |
| 关 键 词： | 欧姆接触 俄歇电子能谱(AES) |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）06-0650-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-20 |
| 修稿时间： | 2005-09-20 |
Ni/Ag/Pt Ohmic Contacts to P-type GaN |
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| MA Hong-xi,HAN Yan-jun,SHENTU Wei-jin,ZHANG Xian-peng,LUO Yi,QIAN Ke-yuan. Ni/Ag/Pt Ohmic Contacts to P-type GaN[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(6): 650-653 | |
| Authors: | MA Hong-xi HAN Yan-jun SHENTU Wei-jin ZHANG Xian-peng LUO Yi QIAN Ke-yuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaN Ni/Ag/Pt |
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