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| SiO_2对SnO_2·CoO·Nb_2O_5压敏电阻非线性电学性质的影响 | |
| 引用本文： | 陈洪存,王矜奉,王勇军,李长鹏,张沛霖,钟维烈.SiO_2对SnO_2·CoO·Nb_2O_5压敏电阻非线性电学性质的影响[J].压电与声光,2000(6). |
| 作者姓名： | 陈洪存 王矜奉 王勇军 李长鹏 张沛霖 钟维烈 |
| 作者单位： | 山东大学物理系!济南250100 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目!(5 0 0 72 0 13) |
| 摘 要： | 对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。 |
| 关 键 词： | 压敏电阻 非线性系数 击穿电场强度 势垒 |
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