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在ITO玻璃衬底上制备钛酸铋铁电薄膜
引用本文:章平,王国强,王安福,江锐. 在ITO玻璃衬底上制备钛酸铋铁电薄膜[J]. 江西师范大学学报(自然科学版), 2006, 30(2): 107-109
作者姓名:章平  王国强  王安福  江锐
作者单位:郧阳师范高等专科学校,物理系,湖北,丹江口,442700;郧阳师范高等专科学校,物理系,湖北,丹江口,442700;郧阳师范高等专科学校,物理系,湖北,丹江口,442700;郧阳师范高等专科学校,物理系,湖北,丹江口,442700
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划);湖北省教育厅科研项目
摘    要:利用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Sn的In2O3导电透明薄膜(ITO)衬底上制备了钙钛矿型Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度对铁电薄膜结构和性能的影响.X-射线衍射分析表明,经650℃和650℃以上温度退火的薄膜为具有层状钙钛矿型结构Bi4Ti3O12的铁电薄膜.在750℃退火20 min得到Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化强度Pr=10μC/cm2,矫顽场Ec=45 kV/cm.

关 键 词:铁电薄膜  钛酸铋  溶胶凝胶法
文章编号:1000-5862(2006)02-0107-03
收稿时间:2005-06-18
修稿时间:2005-06-18

Depositing Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Films on ITO Glass Substrate
ZHANG Ping,WANG Guo-qiang,WANG An-fu,JIANG Rui. Depositing Bi4Ti3O12 Ferroelectric Thin Films on ITO Glass Substrate[J]. Journal of Jiangxi Normal University (Natural Sciences Edition), 2006, 30(2): 107-109
Authors:ZHANG Ping  WANG Guo-qiang  WANG An-fu  JIANG Rui
Affiliation:Department of Physics, Yunyang Teachers College, Danjiangkou Hubei 442700, China
Abstract:
Keywords:ferroelectric thin films  Bi_4Ti_3O_(12)  sol-gel method
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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