| 无催化β-Ga2O3纳米棒的可控制备 |
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| 引用本文： | 尤洪禹,张如林,李荣斌,张静,金敏,王相虎.无催化β-Ga2O3纳米棒的可控制备[J].功能材料,2021(3):3177-3181. |
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| 作者姓名： | 尤洪禹 张如林 李荣斌 张静 金敏 王相虎 |
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| 作者单位： | 上海电机学院材料学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10804071,51671125);上海市自然科学基金资助项目(16ZR1412800,18ZR1416000);认知无线电与信息处理省部共建教育部重点实验室(桂林电子科技大学)开放课题资助项目(CRKL180205)。 |
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| 摘 要： | 由于氧化镓(Ga2O3)纳米棒具有独特的物理和化学性质,在纳米光电子器件等领域具有广泛的应用前景,因此氧化镓纳米棒的可控制备具有十分重要的意义。本文采用化学气相沉积(CVD)的方法,在无催化条件下,在硅Si(100)衬底上成功生长出β-Ga2O3纳米棒。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜等表征,发现氧化镓纳米棒按照气-固(V-S)机制生长,当生长温度从850℃升高到950℃时,纳米棒的密度、直径和长度增加,纳米棒的形貌从杂乱无序的随机生长转变为沿衬底垂直且具有不同夹角方向生长。结果表明,反应温度和氧气浓度决定了氧化镓纳米棒的形貌和尺寸,通过控制温度和氧气浓度能够有效调控氧化镓纳米棒的形貌和光学性能。
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| 关 键 词： | β-Ga2O3纳米棒 无催化剂 化学气相沉积 可控制备 VS生长机制 |
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