| 提高SOI器件和电路性能的研究 |
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| 引用本文： | 海潮和,韩郑生,周小茵,赵立新,李多力,毕津顺. 提高SOI器件和电路性能的研究[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 322-327 |
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| 作者姓名： | 海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 李多力 毕津顺 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).
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| 关 键 词： | SOI 浮体效应 沟道 抗辐照 器件的性能 电路性能 研究 SOI Devices Performance Improved 水平 总剂量 nMOS 加固技术 综合 发现 作用 优良特性 自对准硅化物 电流增益 双极晶体管 寄生 影响 严重 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0322-06 |
| 修稿时间： | 2005-10-11 |
Study of Improved Performance of SOI Devices and Circuits |
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| Hai Chaohe,Han Zhengsheng,Zhou Xiaoyin,Zhao Lixin,Li Duoli,Bi Jinshun. Study of Improved Performance of SOI Devices and Circuits[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 322-327 |
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| Authors: | Hai Chaohe Han Zhengsheng Zhou Xiaoyin Zhao Lixin Li Duoli Bi Jinshun |
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