| 低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究 |
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| 引用本文： | 李峥,王评初,徐保民,殷之文. 低温烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级的研究[J]. 无机材料学报, 1998, 13(2): 162-166 |
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| 作者姓名： | 李峥 王评初 徐保民 殷之文 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050，中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050，中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050，中国科学院上海硅酸盐研究所!上海，200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!59172102 |
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| 摘 要： | 本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处．提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用，解释了材料ε～T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象．根据给出的合体深能级的等效电路模型，计算机拟合结果与实验数据基本相符．
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| 关 键 词： | 钛酸锶 晶界层电容器 介电性质 体深能级 |
| 收稿时间： | 1997-07-10 |
Study of Deep Bulk Traps of Low-Temperature-Sintered SrTiO3 GBBL Capacitors |
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| LI Zheng,WANG Ping-Chu,XU Bac--Min,YIN Zhi-Wen. Study of Deep Bulk Traps of Low-Temperature-Sintered SrTiO3 GBBL Capacitors[J]. Journal of Inorganic Materials, 1998, 13(2): 162-166 |
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| Authors: | LI Zheng WANG Ping-Chu XU Bac--Min YIN Zhi-Wen |
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| Affiliation: | ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciencesShanghai200050China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SrTiO_3 GBBL capacitor dielectric constant deep bulk trap |
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